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Intel y Micron crean un nuevo tipo de memoria mil veces más rápida que la generación actual

3d xpointLas compañías de Intel y Micron conjuntamente develaron un nuevo tipo de memoria llamada 3D XPoint (o crosspoint) que puede ser utilizada tanto como una memoria volátil (RAM) o como la memoria permanente que actualmente usan los discos de Solid State Drive (SSD) Esta nueva memoria es hasta mil veces más rápida que las actuales NAND, además de ser más duradera y tener una mayor densidad, lo que permite mayor cantidad de almacenamiento de datos en el mismo espacio físico.

La 3D XPoint mantiene un bajo nivel de consumo eléctrico, lo que la hace perfecta para las computadoras portátiles.

De acuerdo al anuncio que hicieron ambas compañías, la 3D XPoint se conectaría al ordenador a través de una interface PCIe, que puede manejar altas velocidades durante el intercambio de información entre la tarjeta madre y los periféricos. Sin embargo, es muy probable que en un futuro no muy lejano, aparezca un nuevo tipo de conector para poder sacarle el máximo provecho a la alta velocidad de la 3D XPoint.

Claramente un tipo de memoria mejoraría enormemente la velocidad de las computadoras, especialmente cuando se trabaja en la edición de videos e imágenes. A la misma vez, permitiría una mejor experiencia durante los juegos de video.

3D XPoint guarda la data de una manera completamente diferente a las memorias actuales, utilizando cambios en las propiedades de las células de la memoria en vez del uso de capacitadores tal y como se utilizan actualmente.

Algunas de las características de 3D XPoint son:

* Estructura en formaciones perpendiculares, permitiendo una agrupación de 128 mil millones de células, cada una guardando un bit de data. Este tipo de formación compacta permite una mayor concentración de la información en un espacio más reducido.

* Uso de múltiples capas en forma de torres con un máximo de almacenamiento de 128 GB en dos capas. Una futura generación pudiera incorporar más capas, aumentando la capacidad de la memoria.

* Selección individual de las células, permitiendo que la data sea escrita o leída utilizando una variación en el voltaje. Este proceso elimina la necesidad de usar transistores y reduce el costo de fabricación.

* Aumento en la velocidad para guardar y recuperar información dada la densidad en la estructura de la memoria. Como cada célula está mucho más cerca de la otra, el intercambio de la información toma mucho menos tiempo comparada con las memorias tradicionales.

Las memorias 3D XPoint están en proceso de fabricación comercial y van a estar disponible en el mercado a finales de este año, aunque inicialmente irán directo a los fabricantes de dispositivos como computadoras, tabletas y quizás se incorporen en algunos modelos de teléfonos móviles. Intel y Micron anunciaron que están fabricando sus propios dispositivos  con la nueva memoria incorporada que saldrán a la venta el próximo año, aunque no dieron detalles sobre los productos que están desarrollando.

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